技术编号:12613545
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路制造领域,尤其涉及一种可调控制栅增加ILD填充窗口的工艺方法。背景技术浮栅型非易失存储器(Non-volatilememory,简称NVM)是一种常见的集成电路器件,其包括一个源极、一个漏极、一个门极和一个浮栅(FloatingGate)。通常,可采用经典的堆叠栅工艺(stack-gate)形成浮栅型非易失存储器结构。靠近隧穿氧化层的多晶硅层作为浮栅,顶部的多晶硅层作为控制栅(controlgatepoly),两多晶硅层之间的绝缘层为二氧化硅或者ONO(Oxide-Nitrid...
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