技术编号：12614278
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及发光二极管技术领域，尤其是指一种提高发光二极管外延良率的生长方法。背景技术近年来发光二极管发展迅猛，与半导体光电技术、新照明光源技术的发展紧密相关。随着LED应用领域的不断扩展，LED芯片亮度提高和成本下降成为目前发展的重点。现有技术中，采用PVD设备蒸镀AlN衬底，作为降低成本和提高产量的有效途径，正被逐步接受并成为主流技术。然而，采用PVD蒸镀AlN衬底，目前存在外延工艺结果重复性、一致性差等问题。传统工艺通过采用PVD蒸镀AlN缓冲层的技术能有效提高大尺寸衬底外延技术，提高晶体质...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。