技术编号:12646604
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种电积工艺,具体是一种氯化钴电积工艺。背景技术氯化钴电积过程中,阴极生产电积钴,阳极放出氯气,大部分氯气经过吸收装置吸收后,再补充钴金属后再次进入电积液循环,补充金属离子分为两种方式,一是补加高浓度的氯化钴溶液,二是补加氯化钴晶体。但两种补加都有比较大的缺陷,第一种带来的是氯化钴溶液中有大量的水,为保证系统的体积平衡,要蒸发大量的水,第二中氯化钴晶体,水量相对较少,但蒸发氯化钴溶液得到氯化钴晶体一样需要蒸发大量的水,同时带来包装等成本因素。发明内容针对现有技术的上述不足,本发明提供了...
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