本发明涉及一种电积工艺，具体是一种氯化钴电积工艺。
背景技术：
氯化钴电积过程中，阴极生产电积钴，阳极放出氯气，大部分氯气经过吸收装置吸收后，再补充钴金属后再次进入电积液循环，补充金属离子分为两种方式，一是补加高浓度的氯化钴溶液，二是补加氯化钴晶体。但两种补加都有比较大的缺陷，第一种带来的是氯化钴溶液中有大量的水，为保证系统的体积平衡，要蒸发大量的水，第二中氯化钴晶体，水量相对较少，但蒸发氯化钴溶液得到氯化钴晶体一样需要蒸发大量的水，同时带来包装等成本因素。
技术实现要素：
针对现有技术的上述不足，本发明提供了一种能有效降低生产成本的氯化钴电积工艺。
本发明的技术方案是：一种氯化钴电积工艺，其特征在于：脱氯后的电积钴贫液加浓盐酸，配制反萃酸，负载的P507经过洗涤、反萃后，反萃后液与氯化钴晶体加入溶解槽后送至氯化钴电积电解槽，电解槽阴极生产电积钴，阳极放出氯气采用液碱吸收槽经液碱回收，电解槽的电贫液先搅拌升温脱氯，脱氯温度为85℃，再采用醇类溶液还原处理电贫液残存氯气，脱除控制残氯含量≦0.001g/L；脱氯后的电积钴贫液返回配制反萃酸循环使用。
首先是电积贫液在搅拌槽中搅拌升温，搅拌槽配置有抽风装置；选择醇类还原剂，加入到溶液中，快速和氯气发生反应，残存还原剂不对电积贫液造成影响。
本发明利用脱氯后钴电积贫液加入浓盐酸配制成新的反萃前液，同样经过反萃后，氯化钴溶液进入电积系统生产电积钴，减少了进入电积钴系统的水量，同时也减少了保存系统平衡的蒸发水量，降低了生产成本。生产氯化钴系统的氯气在电贫液脱氯部分以及电解部分均有效回收或吸收，避免释放污染环境，确保操作人员安全。
附图说明
图1 为本发明的工艺流程图。
具体实施方式
以下结合附图和实施例作进一步说明。
图1所示，一种氯化钴电积工艺，脱氯后的电积钴贫液加浓盐酸，配制反萃酸，负载的P507经过洗涤、反萃后，反萃后液与氯化钴晶体加入溶解槽后送至氯化钴电积电解槽，电解槽阴极生产电积钴，阳极放出氯气采用液碱吸收槽经液碱回收，电解槽的电贫液先搅拌升温脱氯，脱氯温度为85℃，再采用醇类溶液还原处理电贫液残存氯气，脱除控制残氯含量≦0.001g/L；脱氯后的电积钴贫液返回配制反萃酸循环使用。