一种氯化钴电积工艺的制作方法

文档序号:12646604阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种氯化钴电积工艺,其特征在于:萃取钴后的P507经洗涤、反萃,反萃后液与氯化钴晶体加入溶解槽后送至氯化钴电积电解槽,电解槽阴极生产电积钴,阳极放出氯气采用液碱吸收槽经液碱回收,电解槽的电贫液先搅拌升温脱氯,脱氯温度为85℃,再采用醇类溶液还原处理电贫液残存氯气,脱除控制残氯含量≦0.001g/L;脱氯后的电积钴贫液加浓盐酸配制反萃酸作P507反萃循环使用。

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