技术编号:12670826
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及纳米纤维技术领域,具体的涉及一种核壳结构氧化钛纳米片/碳化硅纳米纤维及制备方法。背景技术碳化硅(SiC)作为一种宽带隙半导体,具有高击穿电场、高临界场强、高热导率、良好的机械性能、耐高温、抗辐射和耐腐蚀以及高载流子迁移速率等特性,它还与传统微机电系统(MEMS)具有良好的兼容性,最高使用温度可达到1000℃,是一种理想的半导体功能材料。TiO2是一种重要的n型半导体材料,具有成本低廉、无毒、自清洁作用、相对阻抗变化大和环境友好等优异的理化性质。特别是在800℃以上高温条件下,仍可以保持...
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