技术编号：12681439
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体照明技术领域，具体涉及一种量子点薄膜的制备方法，特别地涉及一种基于3D打印技术的LED用量子点薄膜的制备方法。此外，本发明还涉及所制备的LED用量子点薄膜。背景技术LED(LightEmittingDiode,发光二极管)是一种半导体制造技术加工的电致发光器件，其主要发光原理是化合物半导体材料在加载正向电压的条件下，有源电子与空穴复合产生光子，其中可见光成分能够被人眼识别。相比于传统照明光源，LED具有发光效率高、耗电量少、可靠性高和寿命长等优点，因此被认为21世纪最具发展前景的...
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