技术编号:12687343
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制备石墨烯透明导电薄膜的方法,具体涉及一种利用氧化石墨烯-石墨烯微晶复合层作为生长基底制备石墨烯透明导电薄膜的方法。背景技术自2004年被发现以来,石墨烯这一新型碳材料受到广泛的关注。作为新型的二维晶体材料,石墨烯具有高的载流子迁移率、高光性和良好的化学稳定性等,特别是高透过率石墨烯导电薄膜被认为有望替代现有ITO(氧化铟锡)薄膜,在诸多领域有着广阔的应用前景。由于高性能石墨烯透明导电薄膜对石墨烯质量要求非常高,而化学气相沉积(CVD)法因其可以生长大面积、高质量的石墨烯薄膜成为研...
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