技术编号：12694954
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及化学领域，特别涉及一种晶圆高温保护膜及其制作方法、使用方法。背景技术圆晶是制作硅半导体所用的硅片，形状似圆形，故称晶圆。将硅单晶棒制备成硅晶圆片的工艺即为晶圆成型。晶圆切割保护膜就是在半导体制作过程中起到保护作用。SOI技术是降低晶体管漏电流的有效措施，而应变硅技术是提高晶体管速度的有效途径。目前制造SOI晶圆的方法主要有两种：一是注氧隔离法，另一种是智能剥离法，注氧隔离法是采用大束流专用氧离子注入机把氧离子注入到硅晶圆中，然后在惰性气体中进行不小于1300℃高温退火，从而在硅晶圆顶部...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。