本发明涉及化学领域，特别涉及一种晶圆高温保护膜及其制作方法、使用方法。
背景技术：
：圆晶是制作硅半导体所用的硅片，形状似圆形，故称晶圆。将硅单晶棒制备成硅晶圆片的工艺即为晶圆成型。晶圆切割保护膜就是在半导体制作过程中起到保护作用。SOI技术是降低晶体管漏电流的有效措施，而应变硅技术是提高晶体管速度的有效途径。目前制造SOI晶圆的方法主要有两种：一是注氧隔离法，另一种是智能剥离法，注氧隔离法是采用大束流专用氧离子注入机把氧离子注入到硅晶圆中，然后在惰性气体中进行不小于1300℃高温退火，从而在硅晶圆顶部形成厚度均匀的极薄表面硅层和Sio2埋层。这两种方法的优点是硅薄层和Sio2埋层的厚度可精确控制，缺点在于由于氧注入会引起对硅晶格的破坏，导致硅薄层缺陷密度增高。在这两种方法中，若晶圆切割时不进行固定，则容易产生飞料、背崩的问题，而且产品切割后也不容易拾取。技术实现要素：本发明的主要目的是提出一种适用于半导体制作的保护膜及其制作方法，旨在解决晶圆在切割时的固定问题。为实现上述目的，本发明提出一种晶圆高温保护膜胶带，用于晶圆的切割工艺，其为一面为聚酰亚胺膜，另一面为溶剂型丙烯酸酯胶黏剂及其共聚交联剂形成的胶粘剂层。本发明应用于半导体的切割工艺或光学和电气设备制造工艺中，其固定工件的作用，可保障保护产品切割后的完整，防止产品在切割过程中发生飞料、背崩；而且产品切割后容易拾取，不残胶。根据本发明的晶圆高温保护膜胶带，本发明还提出一种加工所述晶圆高温保护膜胶带的方法，其包括如下步骤：步骤一：胶水准备，将溶剂型丙烯酸酯胶黏剂及其共聚交联剂进行混合搅拌，搅拌量为每次40-60KG，搅拌完成后静置20min待用，并且2小时内用完；步骤二：装好逗号刮刀式涂布机的料槽、挡板；把聚酰亚胺膜从放卷装置料；将搅拌好的胶水材料经过400目筛网过滤导入所述料槽中，并保持料槽七分满；步骤三：在烤箱及涂布设备控制器上设定涂布温度、风量、速比、涂布张力、速度；步骤四：试涂，试涂两段聚酰亚胺膜，长度分别为5M-7M；采用所述烤箱烘干并检验涂长、涂宽、间隙、厚度；步骤五：正式涂布，试涂合格开始正式涂布，所述放卷装置中的聚酰亚胺膜，经所述逗号刮刀式涂布机的刮刀涂上步骤一中准备的胶水后，经所述烤箱烘烤后收卷成成品卷材。优选地，步骤一中的所述共聚交联剂的剂量为胶水总量的0.5%-1%。优选地，所述烤箱为六节可单独控制温度的烤箱。优选地，所述烤箱中的六节烘烤空间的温度依次分别为：55℃-70℃、80℃-100℃、100℃-120℃、120℃-140℃、120℃-100℃、100℃-80℃。根据本发明的晶圆高温保护膜胶带，本发明进一步提出一种使用方法：将未切割的晶圆粘合于所述晶圆高温保护膜胶带的胶粘剂层，在切割晶圆前，撕去所述晶圆高温保护膜胶带的聚酰亚胺膜，将未切割的晶圆粘合于切割工位。通过本发明的保护膜，可固定晶圆的切割工位，保障保护产品切割后的完整，防止飞料、背崩等问题。除晶圆的切割工艺外，本发明还适用于以下领域：1、电脑机箱、机柜等金属表面的高温粉未喷涂、烤漆遮蔽保护；2、电子产品、汽车行业、涂装等产品高温喷涂时的遮蔽保护及绝缘等；3、印刷电路板、电子零件、电阻电容器生产时的固定，及PCB板含浸过程中遮蔽金手指部分和防止电镀液浸入及污染，印刷电路板镀金遮蔽保护用；4、家电、机械、电子等行业需高温涂装喷漆保护，高温捆绑固定作用。附图说明图1为本发明晶圆高温保护膜胶带的结构示意图。具体实施方式下面将结合附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。本发明提出一种晶圆高温保护膜胶带，其为一面为聚酰亚胺膜1，另一面为溶剂型丙烯酸酯胶黏剂及其共聚交联剂形成的胶粘剂层2；该保护膜胶带应用于半导体制作过程中，对硅起到保护作用。根据这种晶圆高温保护膜胶带，本发明还提出这种晶圆高温保护膜胶带的加工方法，其包括如下步骤：步骤一：胶水准备，将溶剂型丙烯酸酯胶黏剂及其共聚交联剂进行混合搅拌，搅拌量为每次40-60KG，其中所述共聚交联剂的剂量为胶水总量的0.5%-1%。详细参数见下表一，搅拌完成后静置20min待用，并且2小时内用完；表一.胶水准备的参数步骤二：装好逗号刮刀式涂布机的料槽、挡板；把聚酰亚胺膜从放卷装置料；将搅拌好的胶水材料经过400目筛网过滤导入料槽中，并保持料槽七分满；所述逗号刮刀式涂布机的涂布刮刀可控制涂布的厚度，聚酰亚胺膜为撕去背面离型层的卷料。步骤三：在烤箱和涂布设备控制器上设定涂布温度、风量、速比、涂布张力、速度；所述烤箱最好为六节可单独控制温度的烤箱。其具体参数如下：表二.烤箱温度参数烤箱节数第一节第二节第三节第四节第五节第六节温度55-70℃80-100℃100-120℃120-140℃120-100℃100-80℃风量70±10%60±10%50±10%50±10%60±10%60±10%表三.涂布机参数项目速比张力速度数值90-95%20-30kgf20-25M/min步骤四：试涂，试涂两段聚酰亚胺膜，长度分别为5M-7M；采用烤箱烘干并检验涂长、涂宽、间隙、厚度；首件的涂长、涂宽、间隙、厚度等等相关参数，若不符合工艺要求则修改至符合要求止；试涂涂长为5M-7M，正常量产的涂长可按指令单数量，一般为6000M，涂宽标准为1000MM，厚度范围为20-25um。 步骤五：正式涂布，试涂合格开始正式涂布，所述放卷装置中的聚酰亚胺膜1，经所述逗号刮刀式涂布机的刮刀涂上步骤一中准备的胶水后，牵引至按上述要求设定好参数的烤箱中烘烤，烘干后检验，经所述烤箱烘烤后收卷成成品卷材。在涂布过程中随时检查胶面、烘烤程度、涂胶厚度气泡等现象；直至涂布完成。最后进行复卷步骤，把材料分成需要的小支料规格，例如宽度1000mm*长度50M的小卷料，在对分卷好的材料进行紧密复合，形成更加平整光滑之表面的成品。本发明的具体使用方法如下：将未切割的晶圆放置于胶粘剂层2上，使晶圆粘合于胶粘剂上；切割晶圆时，将保护膜背面的聚酰亚胺膜1撕去，以便将未切割的晶圆粘合于切割工位，使晶圆在切割过程中不会移位，提高切割精度，并吸附一定量的切割碎屑。本发明的保护膜应用于其它的遮蔽保护等工艺时，可先将保护膜贴合于需要保护的区域，待切割、喷涂、腐蚀等工艺完成后再撕去背面的聚酰亚胺膜，可达到较好的保护效果。以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的
技术领域：
均包括在本发明的专利保护范围内。当前第1页1 2 3