技术编号：12703666
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种二维MoS2-PbS纳米颗粒复合材料的制备方法技术领域本发明属于光电半导体技术领域，具体涉及一种二维MoS2-PbS纳米颗粒复合材料的制备方法。背景技术半导体纳米材料具有高度的光敏性，且其带隙值可调，可探测从紫外-可见到红外部分的光，是光电器件的重要材料。但纳米颗粒材料的载流子迁移率很低，在10−3–10−1cm2V−1s−1之间，使得其光电导增益局限在10-103。而单原子层厚度的二维材料，比如石墨烯和过渡金属硫族化合物（TMDCs），在平面内具有很高的载流子迁移率，而且单原子层的结构能使...
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