技术编号：12725110
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体场效应管技术领域，具体涉及一种的半导体场效应正反馈晶体管。背景技术Z2-FET是一种基于场效应正反馈机制的新型半导体器件。它由申请人于2011年提出[1,2]。不同于普通的MOSFET，其工作原理基于新颖的场效应正反馈机制，因此具有独特的电学特性。其亚阈摆幅远远低于普通MOSFET的物理极限值，这使得它在低电压和低功耗集成电路中具有巨大的应用潜力[3]。此外，Z2-FET的输出特性显示出极大的回滞效应。我们将此特性应用于挥发性存储器，得到了远优于普通存储器的性能[4]。此外，由于...
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