技术编号:12725327
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。低关断损耗双栅SOI-LIGBT器件结构技术领域本发明属于半导体技术领域,具体的说涉及一种低关断损耗双栅SOI-LIGBT器件结构。背景技术高压功率器件是电力电子技术的基础与核心,其具有耐高压、导通电流密度大的特点。提高功率器件的耐压能力,降低功率器件关断损耗是设计器件的关键。IGBT器件(绝缘栅双极型晶体管器件)作为一类重要的功率半导体器件,在电力电子领域应用广泛。但是,IGBT器件由于P-body区与N-漂移区交界处空穴注入效率较低,载流子浓度分布很低,导致器件的饱和压降升高,在关断时,N-...
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