技术编号:12749732
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域,更具体地,涉及用于磁隧道结器件的制造技术和相应的器件。背景技术很多现代电子器件包含电子存储器。电子存储器可以是易失性存储器或非易失性存储器。非易失性存储器能够在无电的情况下保持其存储的数据,然而易失性存储器在失电时会失去其数据存储器内容。磁阻随机存取存储器(MRAM)因优于现有的电子存储器因此为下一代非易失性电子存储器的有希望的备选项。与诸如闪存随机存取存储器的现有非易失性存储器相比,MRAM通常更快且具有更好的耐用性。与诸如动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。