技术编号：12806427
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种Ar粒子辐照增强Cr掺杂ZnO薄膜铁磁性的方法，属于新型功能半导体材料领域。背景技术稀磁半导体一般是指在非磁性半导体材料中通过引入具有3d或4f电子的金属元素部分替代非磁性离子所形成的一类新型功能半导体材料。传统的半导体器件仅使用了电子的电荷属性，磁存储器件材料仅利用了电子的自旋属性，目前备受关注的自旋电子器件可同时利用电子的电荷和自旋这属性。自旋电子器件具有非易失性、速度快、体积小、耗能低等优点，被认为是未来最有潜力的新型电子器件，如自旋场效应晶体管、自旋阀、自旋发光二极管等。磁...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。