技术编号：12806918
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体制备工艺技术领域，具体涉及一种制备高密度镍纳米颗粒的方法，适用于非挥发性薄膜晶体管存储器中的电荷存储媒介。背景技术在纳米晶非挥发性薄膜晶体管存储器领域，由于金属纳米颗粒具有在费米能级附近有着较高的态密度、功函数选择范围广、载流子限制效应引起的能量扰动小等优点，因此采用金属纳米颗粒作为电荷俘获中心具有很好的应用前景。镍作为一种金属，具有较大的功函数(5.2eV)，若采用镍纳米颗粒作为电荷俘获中心，则在隧穿层和阻挡层之间能得到较大的势阱深度，从而有效地阻止电荷的流失，因此为存储器提供...
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