技术编号：12807167
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体功率器件，特别是双子导电功率器件的材料和结构。背景技术众所周知，传统的横向双子功率器件是通过利用大注入效应引入的大量空穴和电子来导电。例如最典型的横向绝缘栅双极型晶体管器件(LIGBT)，由于使用了双子导电，所以其导通电阻小，导通压降远小于同等条件下的金属氧化物半导体型器件(MOS)。尽管MOS器件使用多子导电，导致导通电阻较大，但其开关速度极为迅速；然而由于LIGBT利用了双子导电，在功率器件关闭时漂移区中会存在大量的非平衡载流子，它们无法在短时间之内被中和掉，这导致LIGBT...
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