技术编号:12807171
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请总体上涉及功率半导体器件。背景技术功率半导体器件(尤其是利用少数载流子导电的双极型功率半导体器件)是根据导通损耗与开关损耗之间的权衡曲线设计的。旨在实现高频开关的产品通常利用相对高的通路状态导通电压来优化开关损耗性能。旨在实现低频开关的产品通常利用相对高的开关损耗来优化导通损耗性能。对于给定的技术性能,现有的设计不能使开关晶体管在同一芯片内实现低损耗导通状态和低损耗开关表现。发明内容在一些构造中,一种绝缘栅双极型晶体管包括第一区域和第二区域,第一区域和第二区域分别包括多个栅极区,所述多个栅...
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