技术编号:12817627
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及晶体材料,特别是一种铌酸锂黑片的制作方法,属于晶体后处理领域。背景技术铌酸锂单晶是一种优良的多功能人工晶体,具有良好的压电性能,用该材料制作的声表面波(SAW)器件如滤波器、谐振器、振荡器等,广泛的应用在移动通讯、雷达、电子对抗等民用和军事领域。由于铌酸锂晶体应用范围广,用量大,世界上铌酸锂的生产已经具有了很大的规模,每年的产量以百吨计,是IT产业新型电子器件发展不可或缺的功能材料。在工业上,铌酸锂晶体主要采用提拉法进行生长,通常采用铂金坩锅,生长气氛为空气气氛。然后对其进行退火、极化...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。