技术编号:12888910
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于功率半导体器件技术领域,涉及一种具有抗单粒子效应的VDMOS器件。背景技术随着电力电子技术向着高频大功率应用领域的快速发展,功率MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor)器件因其具有耐压高、开关速度快、驱动简单、低驱动功率、良好的热稳定性及简单的制造工艺等优点而被广泛应用于开关电源、交流传动、变频电源、计算机设备等领域中。目前由于VDMOS耐压高、制造工艺简单和较高的可靠性等特点而成为功率MOSFET的主流器件之一。此外,V...
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