技术编号:13008118
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。背景技术在垂直型MOSFET等半导体装置中,已知耐压与导通电阻之间的折衷关系。作为确保耐压并且进行低导通电阻化的技术,已知超结半导体元件(例如,参照专利文献1)。作为相关的现有技术文献,有下述文献。专利文献1:日本特开平9-266311号公报专利文献2:日本特开2013-84899号公报专利文献3:日本专利第4696335号公报专利文献4:日本特开2010-114152号公报通常,在超结半导体元件中,在形成超结结构之后形成源极区等MOS结构。因此,由于...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。