技术编号:13032887
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种具有双间隔层并可形成铁磁或反铁磁耦合的多层膜,可用于实现具有强磁各向异性、低阻尼系数等优点的自旋电子器件,属于非易失性磁存储器和磁逻辑技术领域。背景技术磁随机存储器(MagneticRandomAccessMemory,MRAM)因其非易失性、高速读写、低功耗和近无限次反复擦写等优点,有望成为下一代低功耗通用存储器,受到学术界与工业界的广泛关注。磁随机存储器中实现存储功能的核心器件是磁隧道结(MagneticTunnelJunction,MTJ),其有效结构一般包括由铁磁金属构成的...
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