技术编号：13095971
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体存储器领域，具体地涉及一种NAND闪存存储器的读操作方法、电子设备和计算机可读存储介质。背景技术美国专利US8861276示出了一种大阵列NAND(“与非”)闪存存储芯片。对于这种大阵列NAND闪存存储芯片，图1示出了闪存存储器的连接方式。如图1所示：其中一条位线上的存储单元串联连接，并由底层的选择管连接至共同源线(commonsourceline，CSL)。在对NAND闪存存储芯片进行读操作时，可以采用全部位线读方法。全部位线读方法是一种对位于位线的特定电容放电的读方式，而所述...
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