技术编号：13144125
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及高能物理、核医学成像等高能射线或高能粒子探测所需要的无机闪烁体和晶体生长领域，具体为两种Sc,Ce共掺杂的硅酸镥、硅酸钇镥晶体及其熔体法生长方法。背景技术闪烁体的快发光衰减和高密度特性是现代核医学成像所要求的关键指标。快发光衰减有利于探测和分辨物理事件，达到甄别、探测高能粒子的目的；在核医学成像中，快衰减闪烁体将大大缩短成像时间，提高检查效率。同时，高密度闪烁体有高的阻止本领和短的辐照长度，在相同的探测灵敏度要求下，这将大大减小由数千、数万乃至十万多根晶体组成的闪烁体探测阵列体...
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