技术编号:13239633
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及在半导体元件等的制造过程中可形成缺陷少的二氧化硅质膜的全氢聚硅氮烷以及包含该全氢聚硅氮烷的组合物。另外,本发明也涉及使用了它们的二氧化硅质膜形成方法。背景技术在电子设备尤其是半导体设备的制造中,有时会在晶体管元件与位线之间、位线与电容器之间、电容器与金属配线之间、多个金属配线之间等等形成出层间绝缘膜。进一步,有时会在设置于基板表面等的隔离槽中埋设绝缘物质。进一步,有时会在基板表面形成了半导体元件之后,使用密封材料形成被覆层从而制成封装体。这样的层间绝缘膜和\/或被覆层大多由二氧...
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