技术编号：13285192
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于光电材料及新能源技术领域，涉及一种在金属衬底上电沉积制备高质量In薄膜的方法。背景技术Cu(In,Ga)Se2(CIGSe)薄膜太阳电池由于其较高稳定性及转换效率(最高转换效率达22.6％)而受到人们越来越多的关注。SolarFrontier采用溅射后硒化方法制备出转换效率为22.3％的CIGSe薄膜太阳电池。后硒化方法具有制备高质量CIGSe材料的巨大潜力。其中，电沉积Cu/In或Cu/In/Ga叠层金属预制层在含Se或S气氛中热处理作为制备CIGSe或CIGSSe薄膜太阳电池的重要...
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