技术编号：13319200
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及LED封装领域，特别是一种大功率紫外LED真空封装器件及其制造方法。背景技术现有技术中浅紫外LED应用比较多，常见的是3535陶瓷封装，但封装尺寸偏小很难做到更大功率；另外不论浅紫外还是紫外，1-3WLED器件封装材料大多是选用molding硅胶，器件长时间使用容易造成硅胶黄化、破裂甚至脱落。硅胶封装只适合浅紫外小功率产品使用。因此现有技术瓶颈在无法实现大功率、无法有效解决紫外光对材料的破坏。发明内容本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的不足而提供一种大功率紫外LED真空封装...
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