技术编号:13351257
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种贴合式SOI晶圆的制造方法。背景技术作为对应高频率(RadioFrequency,RF)装置的SOI晶圆,一直是以将基底晶圆的电阻率予以高电阻化而解决。但是,为对应进一步的高速化,而逐渐有对应更高的频率的必要,仅使用已知的高电阻晶圆已经变得无法解决。在此,作为对应对策提出有于SOI晶圆的埋入氧化膜层(BOX层)正下方加入具有使产生的载子消灭的层(载体捕陷层),而此变得有必要将用以使高电阻晶圆中所产生的载子再结合的多晶硅层予以形成于基底晶圆上。专利文献1中,记载有于BOX层及基底晶圆...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。