技术编号：13448455
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于沟槽型器件领域，特别是涉及一种自对准源极接触孔的高密度沟槽型器件结构及其制备方法。背景技术沟槽型器件作为一种重要的功率器件具有很广泛的应有,具有导通电阻低、开关速度快、频率特性好的特点。为了提高产品的竞争力，及响应节能减排要求，需在保证器件击穿电压不变的条件下进一步降低器件的漏源极导通电阻。而为了降低漏源极导通电阻，在沟槽型器件中，减少横向间距以增加元胞密度的方式已经被用来有效地降低器件的漏源极导通电阻。然而，将横向间距减少到1um以下受到源极节点对准误差的限制，即使在使用了深紫外(D...
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