技术编号:13448675
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件领域,特别是涉及一种沟槽(Trench)型的纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管。背景技术随着功率MOSFET器件代表新型功率半导体器件迅速发展,功率半导体器件广泛的应用于计算机、照明、消费类电子、汽车电子、工业驱动等领域。功率半导体器件是绿色低功耗节能环保的核心器件。对于高压MOSFET来说,电源的高能效要求则是影响产品未来发展的主要因素。然而在功率器件高压应用领域内,随着器件击穿电压的升高,功率VDMOS外延层厚度不断增加,漂移区掺杂浓度逐渐降低,导致器件的导通电阻会随着器...
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