技术编号:13482495
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及NAND存储器件及其制造领域,特别涉及一种3DNAND存储器件的制造方法。背景技术NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备,随着人们追求功耗低、质量轻和性能佳的非易失存储产品,在电子产品中得到了广泛的应用。目前,平面结构的NAND闪存已近实际扩展的极限,为了进一步的提高存储容量,降低每比特的存储成本,提出了3D结构的NAND存储器。在3DNAND存储器结构中,采用垂直堆叠多层数据存储单元的方式,实现堆叠式的3DNAND存储器结构。参考图1,在形成3DNAND存储器时,首先,...
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