技术编号:13734722
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微电子器件测试技术领域,特别涉及一种器件表面态陷阱的测量方法,可用于异质节晶体管的工艺优化和可靠性分析。
背景技术
从以硅材料为代表的第一代半导体材料到以砷化镓材料为代表的第二代半导体材料,发展到以氮化镓为代表的第三代半导体材料,其制作而成的器件的许多性质都与半导体的表面性质有着密切的关系。
尤其是器件在高频、大信号的驱动下,输出电流摆幅剧减,输出功率密度下降,这种现象称为电流崩塌效应。作为在电流崩塌效应的形成机理中最成熟和最有说服力的理论,虚...
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