技术编号:13738009
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,特别是涉及一种掺杂区域的形成方法、薄膜晶体管及其制作方法。
背景技术
目前,薄膜晶体管作为驱动元器件被广泛应用到液晶显示器中,一般来说,薄膜晶体管包括栅绝缘层、栅极、源极、漏极、氧化物半导体膜层和钝化层,其中,源极和漏极被一沟道分隔开。通过控制栅极的电压,可以使源极与漏极之间形成导通(开)或绝缘(关)的状态,利用此开关特性驱动液晶显示器中不同像素区域的通断。
低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT,Low Temperature...
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