技术编号:13744740
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件及其制造方法,特别是涉及一种自对准源漏接触的FinFET及其制造方法。
背景技术
随着器件尺寸等比例缩减至22nm技术以及以下,诸如鳍片场效应晶体管(FinFET)和三栅(tri--gate)器件的三维多栅器件成为最有前途的新器件技术之一,这些结构增强了栅极控制能力、抑制了漏电与短沟道效应。
对于传统工艺而言,通过如下的步骤来对包括FinFET、tri--gate器件的CMOS器件进行栅极图形化以及形成接触,以便实现隔离的功能器件...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。