技术编号:13761935
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及超结器件的制造方法。
背景技术
对于常规单一导电类型的功率器件而言,要得到较高的击穿电压,就必须形成较厚的外延层漂移区与较低的掺杂浓度,因而导通电阻会随着击穿电压的增大而急剧增大。然而,导通电阻一般较高且无法进一步降低。
超结结构作为一种先进的漂移区结构越来越受到工业界的重视。超结结构的漂移区采用交替的PN结结构,这种结构的优点在于,在相同耐压下,超结结构漂移区的掺杂浓度可提高一个数量级,因此导通电阻可降低5-10倍。<...
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