技术编号:13761936
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件设计领域,特别涉及一种DDDMOS器件,本发明还涉及该DDDMOS器件的制造方法。
背景技术
DMOS功率器件具有高压大电流等特点,DMOS可以在开关模式下工作,功耗极低。DDD MOS(Double Diffused Drain MOSFET)器件即为双扩散漏高压MOSFET器件的简称,是一种常用的横向高压MOS器件。击穿电压作和导通电阻为衡量DDD MOS器件的关键参数而显得尤为重要。
图1示出了现有DDD NMOS器件结构剖面图...
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