技术编号：13761938
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种超结MOS的终端结构及其制造方法，属超结功率MOS器件的终端结构及其制法。
发明背景
超结功率MOS是在普通DMOS的技术上发展出来的，相对于普通DMOS，除具有输入阻抗高、开关速度快、驱动电路简单、工作频率高等特点外，最主要的克服了传统功率MOS中的理论极限。该结构采用交替的PN结结构代替低掺杂漂移区作为耐压层，在漂移区引入了一个横向电场，为实现电荷的相互补偿，器件漂移区会完全耗尽，这时击穿电压仅与耗尽层厚度及临界电场有关，从而可以在较低的浓度下实现...
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