技术编号:13761942
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体集成电路制造,特别是涉及一种超结(super junction)器件。
背景技术
超结结构就是交替排列的N型柱和P型柱组成结构。如果用超结结构来取代垂直双扩散MOS晶体管(Vertical Double-diffused Metal-Oxide-Semiconductor,VDMOS)器件中的N型漂移区,在导通状态下通过N型柱提供导通通路,导通时P型柱不提供导通通路;在截止状态下由PN立柱共同承受反偏电压,就形成了超结金属-氧化物半导体场效应晶体...
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