技术编号：13761969
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种低成本的制备黑硅结构的方法，属于光电技术领域。该发明采用Ag和Cu双金属辅助于多晶硅表面进行化学腐蚀，相对于现有的Ag辅助化学腐蚀，该发明使AgNO3消耗量降低几十倍以上，且工艺简单，降低了黑硅制备成本，可实现大面积黑硅的批量制备，并利用纳米重构溶液对黑硅结构进行优化处理的方法，在高转换效率的黑硅太阳电池制备中有巨大的应用潜力。
背景技术
当前晶体硅(单晶和多晶)太阳电池片的光伏发电是光伏发电的主流领域，但由于其成本太高无法取代传...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。