技术编号:13765906
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请是于2014年4月25日提出的日本专利申请特愿2014-091422的相关申请,基于该日本专利申请主张优先权,并援引该日本专利申请所记载的全部内容构成本说明书。
本说明书中公开的技术涉及半导体装置的制造方法与半导体装置。
背景技术
在日本特开2001-1244328号公报中公开了下述技术:在包含沟槽(trench)的半导体基板上配置第1埋入材料并在第1埋入材料上配置耐蚀刻性比第1埋入材料高的第2埋入材料,之后对第2埋入材料与第1埋入材料进行回蚀。<...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。