技术编号:13792830
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于材料制备技术领域,具体涉及一种NBT基半导体陶瓷及其制备方法。
背景技术
随着高新技术的迅猛发展,电子陶瓷元器件在各个领域的应用日益广泛,但目前广泛应用的高居里点BaTiO3(BT)基正温度系数(PTC)陶瓷材料中大多数含铅。由于当前各国对环保要求的不断提高,PTCR材料的无铅化已经成为一种必然趋势。在无铅高居里点的BaTiO3基PTC材料中引入一定量的含Bi元素的高居里点化合物,如K0.5...
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