技术编号：13861619
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。背景技术一直以来，公知有将漂移层形成为并列pn层的超结(SJ：Super Junction)半导体装置，该并列pn层通过使杂质浓度提高了的n型区域和p型区域沿与基板主面平行的方向(以下，称作横向)交替地反复配置而成。对于现有的超结半导体装置，以例如超结MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)为例进行说明。图40是表示现有的超结半导体装置的结构的截面...
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