技术编号:13887584
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,特别涉及一种半导体结构的形成方法。背景技术半导体器件中,晶体管是一种重要的基本器件。晶体管的基本结构包括三个主要区域:源极(Source)、漏极(Drain)以及栅极(Gate)。其中源极和漏极是通过高掺杂形成。根据器件类型不同,可以分为N型掺杂(NMOS)和P型掺杂(PMOS)。随着集成电路向超大规模集成电路发展,集成电路内部的电路密度越来越大,所包含的元器件数量也越来越多,元器件的尺寸也随之减小。随着MOS器件尺寸的减小,MOS器件的沟道随之缩短。由于沟道缩短,MO...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。