技术编号：13943700
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于功率半导体器件技术领域，具体涉及一种具有混合导电模式的横向功率半导体器件及其制备方法。背景技术横向绝缘栅双极晶体管(Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor，LIGBT)是一种将横向功率MOSFET和双极晶体管两者优点相结合而成的横向功率器件，同时具备输入阻抗高和导通压降低的特点，被广泛地应用在各种功率集成电路中。相比较传统的基于体硅技术的器件，采用SOI技术制造的器件具有速度快、功耗低、集成密度高、抗闩锁能力强、成本低、抗辐照性能好等诸多优点...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。