技术编号：13986381
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于3D封装领域，更具体地，涉及一种硅通孔电镀的三步预浸润方法。背景技术硅通孔电镀中，小孔径的TSV(硅通孔)可以支持更高的电路密度。然而，较小的孔径意味着更高的深径比，此外，为了兼容其他3D集成过程，TSV电镀过程中往往是在晶圆减薄之前完成，这意味着必须电镀填充深径比超过10∶1的盲孔。由于电镀液表面张力的存在，这样的深径比会使镀液很难完全浸润盲孔内部，这会导致盲孔电镀后内部存在孔隙甚至完全无法填充。高的真空度可浸润的深径比越高，因此对于高深径比的TSV，需要使用昂贵的真空泵和复杂的工艺...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。