技术编号:14212019
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种氮化物半导体器件,详细而言,涉及在氮化物半导体层上形成有源电极、漏电极以及栅电极的氮化物半导体器件。背景技术作为现有的氮化物半导体器件,如图15所示,存在具有包括沟道层(channel layer)1和势垒层(barrier layer)2的异质构造的III族氮化物半导体场效应晶体管(日本特开2013-229493公报(专利文献1))。对于该III族氮化物半导体场效应晶体管而言,关于在晶体管元件的表面具有绝缘膜3的场效应晶体管,通过在势垒层2的表面沉积绝缘膜3,从而减少表面能级的值...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。