技术编号:1421461
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明主要涉及一种真空等离子体处理器的方法和装置,更具体的说,涉及这样一种真空等离子体处理器的方法和装置,其中在电极连接着接地之间保持着恒定的非零RF参数,使得RF激发源不能直接与电极相耦合。 背景技术 真空等离子体处理器常用于向工作部件沉积材料或者腐蚀材料,该工作部件一般是半导体,绝缘体和金属基片。气体导入到工作部件所在的真空等离子体处理腔室。该腔室的压力一般在0.1至1000托(torr)的范围内。该气体响应RF电场或电磁场被引燃为RF等离子体。RF场...
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