专利名称：等离子体处理器的制作方法
技术领域：
本发明主要涉及一种真空等离子体处理器的方法和装置，更具体的说，涉及这样一种真空等离子体处理器的方法和装置，其中在电极连接着接地之间保持着恒定的非零RF参数，使得RF激发源不能直接与电极相耦合。
背景技术：
真空等离子体处理器常用于向工作部件沉积材料或者腐蚀材料，该工作部件一般是半导体，绝缘体和金属基片。气体导入到工作部件所在的真空等离子体处理腔室。该腔室的压力一般在0.1至1000托(torr)的范围内。该气体响应RF电场或电磁场被引燃为RF等离子体。RF场是由反应阻抗元件提供的，该元件通常是将磁和静电RF场与气体相耦合的电极阵列或线圈。反应阻抗元件连接着具有RF频率和足够功率的RF源，使得气体引燃为等离子体。在源和反应阻抗之间的连接通常是籍助于较长的电缆直接连接RF源。连接在电缆和反应阻抗之间的谐振匹配网络通常至少包括一个可变的感抗，可调整其使得源的阻抗能与它所驱动的负载相匹配。
由源所能看到的负载一般都是任意的或不确定的变量。该负载在引燃气体进入等离子体状态之前具有相当高的阻抗。响应被引燃的等离子体，负载阻抗会充分地下降，因为在受激的等离子体中存在着载流子，即，电子和离子。由于等离子体通量，即等离子体密度的产生和等离子体电荷粒子的速度，的变化，在处理工作部件的过程中，引燃的等离子体也会发生充分的变化。
RF损耗也会受到等离子体处理器的RF传递路径的物理结构、处理器腔室的硬件以及接地路径的阻抗的影响，这是在RF频率激发等离子体时所必须考虑的因素。接地路径阻抗是由形成接地部分的物理结构以及在RF激发频率时接地路径所相关的阻抗所确定的。在处理单个工作部件时，负载受制于这些变量。而且，在相同的处理器处理不同的工作部件时，负载也受制于这些变量。此外，在采用相同标准如相同的型号设计的不同处理器中，因为不同的处理器具有不同的不可预测性，所以负载也同样受制于这些变量。损耗和阻抗的差异对处理器的性能，例如腐蚀和沉积的速率，都会有大的影响。
以前认为匹配网络的可变感抗和RF源的输出功率的控制能够对这些任意的不确定的变量提供足够的补偿。控制匹配网络的可变感抗，以在RF源的输出阻抗和负载阻抗之间保持阻抗匹配和谐振。
此外，响应连接在匹配网络和反应阻抗元件之间的电压探头来时常提供控制。电压探头可以获取到表示在反应阻抗元件和参考电位如地之间RF电压的信号，腔室的金属外壁可保持在该电位上。表示在反应阻抗元件和参考电位之间的RF电压的信号与RF源的输出参数的控制器相耦合，控制器可以远离腔室和匹配网路。控制器通常是RF源的一部分，并且还包括RF源施加在与RF源相连接的电缆的一端上的电流和电压的监视器。来自连接在匹配网路和反应阻抗元件之间的电压探头或者RF源的电压监视器的所检测的电流和电压相组合，来控制RF源的输出功率至所希望的设定点。
已经假定在RF源的控制器中监测到的电流是在反应阻抗元件和负载中所流过的电流的精确对应。我已经证明了这是一无效的假定，因为连接在RF源和匹配网络之间电缆的损耗影响，以及其它相关的损耗。另外，前述的负载变量对该假定具有不利的影响。因为这一无效的假定，在许多情况下，所希望的功率就难以在处理过程中提供给等离子体，对处理器的性能产生不利的影响。
发明概述根据本发明，等离子体处理器包括用于处理工作部件的真空等离子体腔室，其中，腔室包括用于在腔室内与气体电气耦合的反应阻抗元件和具有连接着RF接地使得RF激发源不能直接与电极相耦合的电极。电极与RF接地的连接使得在电极和RF接地之间形成有限的非零RF电压的趋势。有足够的功率提供给反应阻抗元件，以激发在腔室内的气体成为等离子体，同时在相连接的电极和RF接地之间保持着恒定有限的、非零RF参数，最好是电压。
较佳的是，通过检测在电极和接地之间的RF电压和/或在电极和接地之间所流动的电流，使在相连接的电极和RF接地之间保持恒定的电压。根据检测到的连接中的电压和/或电流，来控制在相连接的电极和接地之间的RF阻抗，以提供基本恒定的、有限的、非零的RF参数。
在一个较佳的实施例中，RF阻抗包括可变的感抗，较佳的是，一个电感器和/或电阻器，和/或其数值是由所检测到的连接着的电压和/或电流来控制的一个电容器。所检测到的连接着的电压和/或电流可用于控制(1)电感器、电容器或电阻器，或者它们的组合是否是连接的部分，以及(2)连接阻抗的数值。
正如以上所述，接地的阻抗保持在恒定的数值上，这有利于精确地控制传递给等离子体的功率。传递功率的精确控制和将接地阻抗保持在恒定的数值上一起，使得处理器的用户可以对处理器性能有大影响的许多RF参数具有几乎所有的控制。当匹配的多个处理器进行相同的处理并在相同处理器上长时期地保持处理稳定性时，这是特别有利的。也可以应用精确控制传递功率和将接地阻抗保持在恒定的数值上的原理，在相同标准类型的处理器制造过程中来保持稳定的特性。在处理器的制造过程中，在将处理器装运到最终用户之前，可以精确测量处理器的RF特性，并且调整到所保证的性能上。
在相连接的电极和RF接地之间保持恒定的有限的非零RF参数的等离子体处理器，最好是但并不一定是采用控制驱动反应阻抗元件的RF源的结构，以在包括反应阻抗和它所激发的等离子体的负载上保持恒定功率。
本发明的上述以及其它目的、性能和优点将从以下特殊实施例的详细讨论，特别是结合附图的详细讨论中变得更加清晰。
附图的简要说明
图1是本发明的真空等离子体处理器的较佳实施例的方框图；以及，图2是在图1所示的处理器中所包括的可变阻抗的示意图。
附图的详细说明现在参考附图的图1，真空等离子体处理腔室10可以表示成包括两个并行的电极板12和14，在这两个电极板之间激发RF等离子体放电。由板12引发等离子体，该电极板安装在腔室10的上部，并且具有向来自气体源(未示出)的气体提供RF能量的RF激发反应的功能。腔室10用合适的真空泵(未示出)保持在0.1至1000托的范围内。工作部件15典型地是半导体、玻璃或金属基片，它可安装在腔室10底部上的电极板14上。工作部件15可采用电荷粒子，即，电子和离子、以及等离子体中的中子，来腐蚀工作部件和/或在其表面上沉积材料。等离子体的放电和电极板12形成了RF源17的负载，并且由它来驱动电路元件。如果一定需要冷却工作部件15的话，可以采用通过电极板14流动的冷却气体来提供冷却，电极板14包括适用于工作部件的卡盘。如果采用了卡盘，最好是采用响应DC卡盘电压源(未示出)的静电卡盘。
在电极板14和接地端点18之间提供了具有较低RF阻抗的RF连接16。连接16没有直接与其连接或耦合的RF激发源，但可以包括DC卡盘的电压源，如果提供了这种源的话。尽管该连接16没有直接与其连接或耦合的RF激发源以及连接16在电极板14和接地端点18之间具有相对较高导电率的路径，我已经发现在现有技术的许多处理器中的电极板14和接地端点18之间连接16中，存在着形成随机的、可变的电压的趋势。在提供始终如一工作部件的处理中，这个随机的、可变的电压会产生不利的影响。
为了能克服这些问题，在电极板14和接地端点18之间的连接16保持恒定的电压。通过在紧挨电极板14的下面的腔室10的外面安装电压-电流测试探头20来保持该恒定的电压。测试探头20如此安装，使得它与连接16的引线电磁耦合。测试探头20取得了第一和第二信号，这些信号分别对应于在电极板14和接地端点18之间的RF电压以及在电极板14和接地端点18之间的连接16中所流动的RF电流。此外，提供了具有可变RF阻抗22的连接16，它可根据第一和第二信号的变化来调整，从而在电极板14和节点端点18之间保持恒定的有限的非零RF电压。
RF源17包括恒定频率的RF振荡器24，该振荡器一般具有13.56MHZ的频率，以及可变的功率RF放大器26，该放大器具有对振荡器24的输出起反应相连的功率输入端点和可变的增益控制输入端点。放大器26获得相当高功率的RF输出，并具有所希望的设定数值，一般是在1-4千瓦的范围内。放大器26的输出以振荡器24的频率与相当长的(例如，13英尺)同轴电缆28的一个端点相连接，该电缆的第二端点连接着匹配网络30的一个输入端点，而匹配网络具有将RF功率提供给电极板12的相连接的输出端点。
于是，电缆28所具有的长度至少是振荡器24的振荡频率的几个波长，并且会造成在它的两端之间引起相当大的RF损耗。由于电缆28的长度以及这些损耗的影响，从RF源17流入到电缆28的RF电流不同于从匹配网络30提供给电极板12的RF电流。
为了能精确地监测源提供给电极板12的RF电流和在电极板12和接地端点18之间的RF电压，将电压-电流测试探头可以安装在紧靠电极板12上方的腔室10的外表面上或者非常接近于(在振荡器24频率波长的1/8内)紧靠电极板12上方的腔室10的外表面。电压-电流测试探头32是电磁耦合于引线34，该引线34连接在匹配网络30的输出和电极板12之间，以获得分别对应于在电极板12和接地端点18之间的RF电压和在引线34中流过的RF电流的第三和第四信号。
匹配网络30至少包括一对可变阻抗，调整为使在可变功率RF放大器26的输出阻抗和由电极板12和该电极板激发的等离子体所形成的负载阻抗之间能有一个阻抗匹配。匹配网络30的可变阻抗可以由直流电机33和35根据电压-电流测试探头36输出信号的变化而来调整，而该电压-电流测试探头36电磁耦合以响应在电缆28的内部导体和接地之间的电压以及流过电缆的电流。测试探头36，类似于探头20和32，以获取探头所检测到的RF电压和电流的对应输出电流。
在一个较佳的实施例中，谐振匹配网络30是安装在腔室10的外部，并且包括具有可变感抗的初级绕组的变压器，与一个固定的电容器相串联。变压器包括与可变调谐叶片磁性耦合的次级绕组。匹配网络30的RF输出是通过以引线串联连接的DC隔直电容器37与电极板12相耦合。电容器37最好也安装在腔室10的外部。DC电机33和35根据控制器40的输出信号，来控制匹配网络的调谐叶片和匹配网络30的初级绕组的感抗。
控制器40包括微处理器42，电可编程制度存储器(EPROM)44和随即存取存储器(RAM)46，并根据测试探头20、32和36的输出信号来获取信号以用于控制(1)在可变阻抗22的两端保持恒定的RF电压和/或流过可变阻抗22的恒定RF电流或在连接16中损耗的RF功率，(2)可变功率RF放大器26的功率增益(以及输出功率)，以及(3)施加给DC电机33和35的电压。控制器施加给DC电极33和35的信号控制匹配网路30的可变阻抗，从而控制驱动网络30的谐振以及在放大器26的输出阻抗和它所驱动的负载之间的阻抗匹配。
控制器40也衍生控制电极板12和接地端点18之间的阻抗22的信号，使在连接16中保持恒定的预定RF参数，通常为电压。EPROM 44存储着设定点信号，可用于(1)从电极板12至接地端点18所需功率RF负载，和(2)保持在连接16中电极板14和接地端点18之间的所需的恒定RF电压。另外，EPROM 44存储着适用于在电极板14和接地端点18之间的连接16中流动的恒定RF电流的设定点信号或者适用于与连接16有关的恒定RF电压和恒定RF电流的设定点信号。
微处理器42根据对应于测试探头32所获取的电压和电流，以V1I1cosθ公式来计算在电极板12和接地端点18之间的负载中所损耗的功率，式中V1是测试探头32检测到的电压，I1是测试探头32检测到的电流，以及，θ是在测试探头32检测到的电压和电流之间的相位角。
微处理器42将计算的功率与在EPROM 44中存储的功率设定点数值进行比较，并衍生用于放大器26的功率增益和输出功率的控制信号。因此，可控制放大器26提供给电缆28的RF功率，使电极板12和接地端点18之间的RF功率保持在EPROM44所存储的设定点上的恒定值。
另外，微处理器42可以根据对应于测试探头32所获取的电压幅值和相位角来调整施加在电缆28一端的电压RF源17。或者，微处理器42可以调整施加在电缆28的RF源17的RF电流。如果可变电流放大器是可控制的，则微处理器42可根据对应于测试探头32获取到的电流，以及在对应于测试探头获取的信号之间的相位角。如果RF源施加在电缆28上的电压和电流而不是施加在电缆上的功率是可控制的，则可变电压或可变电流放大器分别替代了RF源17的可变功率放大器26。
微处理器42根据测试探头36的输出信号，以常规的方式来控制DC电极33和35，从而控制匹配网络的可变阻抗。微处理器42也根据对应于测试探头20所获取的电压和电流的幅度和相位角，来控制可变阻抗22的特性和幅值。微处理器42以重复的方式根据对应于测试探头20所获取的电压和电流，来连接在连接16中可变阻抗22的一个或多个合适的阻抗，并且控制一个或多个阻抗的数值。
图2是可变阻抗22的一个较佳结构的示意图。可变阻抗22包括四个分支，这些分支分别包括了开关接触器47(与开关60合并在一起)，可变电感器48，可变电容器50和可变电阻器52。电感器48，电容器50和电阻器52可分别具有由DC电极54，56和58根据微处理器42信号所控制的数值，而当确定了哪一个分支是与连接16相连接时，接触器47就起始闭合。接触器47，电感器48，电容器50和电阻器52各自的一端连接着接地，并且这些元件的另一端是由开关60选择性地连接端点62，依次通过电压-电流测试探头20来连接电极板14。
开关60包括接触器47，以及其它接触器(未显示)，和三个输入端点，这三个输入端点对应于微处理器42所获取的三位的信号，从而提供了适用于接触器47，电感器48，电容器50和电阻器52连接端点62的八种不同的组合。特别是，各个阻抗元件48，50和52都可以分别通过开关60的接触器而不是接触器47一次一个连接端点62。阻抗元件也可以并联对的方式连接端点62或者所有三个阻抗元件都可以并联的方式连接端点62。最初，开关设置成由于接触器47闭合的缘故使阻抗22成为短路。
EPROM 44存储着用于与连接16有关的RF参数的所希望的设定点数值，该参数通常是在电极板14和接地端点18之间的RF电压，但是该参数可以是在连接16中流过的RF电流或者是在连接中所损耗的RF功率。设定点的典型数值是(20+i0)伏特，并且所描述的特殊实施例与RF电压有关。
最初，当阻抗22短路时，微处理器42响应所对应的测试探头20的获取信号，根据电压所对应的幅值和在对应于测试探头20所获取的电压和电流之间的相位角，来计算在电极板14和接地端点18之间的初始复数电压。微处理器42从初始复数电压中确定初始相位角是否为零，或者是电压超前于电流还是电流超前于电压。
在微处理42确定了相位之后，就通过开启接触器47来去除阻抗22的短路。如果在对应于测试探头20所获取的电压和电流之间的初始相位角为零，则微处理器42提供一信号，驱动开关60，使得只有一个电阻器52连接在端点62和接地端点之间的电路中。因为可以在阻抗22中没有电抗性分量的条件下获得在电极板14和接地端点18之间的设定点电压，所以就可以形成这种连接。如果对应于测试探头20所获取的初始电压和电流表示电压超前于电流，则微处理器42驱动开关60作，以在端点62和接地之间连接电容器50和或许电阻器52。然而，如果对应于测试探头20所获取的信号表示电压迟后于电流，则微处理器42就控制开关60，以在端点62和接地之间的电路中连接电感器48和或许电阻器52。
在阻抗元件48，50和52之间的适当连接已经通过开关60建立之后，微处理器42就向电机54，56和58中至少一个电机提供信号，以控制连接在端点62和接地之间电路中的阻抗元件48，50和52的数值。该信号以重复的方式提供给开关60和电机54，56和58，直至测试探头20以对应的电流和电压提供给微处理器42，使得微处理器能计算等于在电极板14和接地端点18之间所需的设定点电压的复数电压。
放大器26和可变阻抗22的控制是，例如，在铸造车间处理单个工作部件的过程中进行的。此外，放大器26和可变阻抗22的控制是在铸造车间处理不同工作部件的同时进行的。此外，可以在处理器在制造工厂的制造过程中，为不同处理器提供放大器26和可变阻抗22的控制，以确保所递交的相同标准类型的不同处理器，都具有一致的特性。
虽然已描述和例示了本发明的一特殊实施例，但是，所描述和示例的实施例的细节中的任何变化都可在不脱离附加权利要求所定义的本发明的真正精神和范围内进行，这是显而易见的。
权利要求
1.一种组合，其特征在于，在所述组合中，一个用于处理工作部件的真空等离子体腔室，所述腔室包括反应阻抗元件，该元件与腔室内的气体电气耦合；一个RF电源，它具有足够的功率来激发腔室内的气体成与反应阻抗元件相连的等离子体；以及，所述腔室包括一个电极，该电极连接RF接地，使得RF激发源不会直接与所述电极相耦合，电极与RF电极的连接使得在电极和RF接地之间形成有限的非零RF电压的趋势，电极与RF接地的连接包括所设置的RF阻抗，使在电极和RF接地之间保持着基本恒定的有限的非零的RF参数。
2.如权利要求1所述的组合，其特征在于，它还包括用于监测在电极和接地之间的连接中的至少一个RF参数的检测器件，以及对检测器件起反应而相连的控制器，用于控制RF的阻抗，以提供基本恒定的有限的非零的RF参数。
3.如权利要求2所述的组合，其特征在于，所述RF阻抗包括可变感抗，所述控制器设置成对检测器件起反应，以用于控制可变电抗的数值。
4.如权利要求3所述的组合，其特征在于，所述可变电抗包括一个可变的电感器。
5.如权利要求3所述的组合，其特征在于，所述可变电抗包括一个可变的电容器。
6.如权利要求3所述的组合，其特征在于，所述可变电抗包括一个可变的电感器和一个可变的电容器，所述控制器设置成对检测器件起反应，用于有选择性地连接在电极和接地的连接中的可变电感器和可变电容器中的至少一个。
7.如权利要求2所述的组合，其特征在于，所述检测器件包括与连接相耦合的电压-电流测试探头。
8.如权利要求2所述的组合，其特征在于，所述检测器件安装在腔室上。
9.如权利要求8所述的组合，其特征在于，所述RF阻抗包括可变的电阻器，所述控制器设置成对检测器件起反应，用于有选择性地连接在RF电极至RF接地的连接中的电阻器，以及用于控制可变电阻器的数值。
10.如权利要求1所述的组合，其特征在于，所述腔室包括一个与所述腔室内的气体电气耦合的反应阻抗元件；一个RF电源，它具有足够的功率，激发在所述腔室内的所述气体成为等离子体；一个匹配网络，它连接在所述源和所述反应阻抗元件之间；一根电缆，它的一端连接着所述RF电源，而第二端连接着所述匹配网络；一个测试探头，它连接在所述匹配网络和所述反应阻抗元件之间，用于获取至少一个信号，该信号表示由所述匹配网络施加给所述反应阻抗元件和与所述反应阻抗元件相耦合的所述等离子体负载的参数；以及，一个对至少一个信号起反应而相连的控制器，用于控制影响所述RF电源施加给所述电缆的所述一端的功率的参数。
11.如权利要求10所述的组合，其特征在于，所述测试探头设置成用于获取第一和第二信号，这些信号分别表示由所述匹配网路施加给所述反应阻抗元件和与反应阻抗元件相耦合的等离子体负载的电压和电流，并且所述控制器连接成响应第一和第二信号。
12.如权利要求10所述的组合，其特征在于，所述测试探头安装在真空等离子体腔室的RF源的频率波长的1/8内。
13.如权利要求11所述的组合，其特征在于，所述测试探头安装在腔室上。
14.如权利要求10所述的组合，其特征在于，所述匹配网络包括可变的电抗，并还包括用于获取表示由电缆提供给匹配网络的电压和电流的信号的一个检测器件，所述控制器连接成响应表示由电缆提供给匹配网络的电压和电流的信号，用于控制匹配网络的可变电抗。
15.一种利用在真空等离子体处理腔室中的等离子体来处理工组部件的方法，该真空等离子体处理腔室包括用于与在腔室内的气体电气耦合的一个反应阻抗元件，和与RF接地相连的一个电极，使得RF激发源不直接与该电极相耦合，所述电极与RF接地的连接使得在所述电极和RF接地之间形成有限的非零RF电压的趋势，连接着RF接地的电极包括所设置的RF阻抗，从而在电极和RF接地之间保持着基本恒定的有限的非零的RF参数；其特征在于，所述方法包括将足够的功率施加到反应阻抗元件，以激发在腔室内的气体成为等离子体，同时在所述电极和RF接地之间的连接中，保持着基本恒定的有限的非零的RF参数。
16.如权利要求15所述方法，其特征在于，所述参数是电压，并且所述电极至RF接地的所述连接包括一个RF阻抗，以及通过在所述连接中的所述RF阻抗两端保持一个恒定的RF电压可以提供在所述电极和RF接地之间的恒定的有限的非零的RF电压。
17.如权利要求15所述方法，其特征在于，所述方法的执行与多个工作部件有关，并且在所述电极和接地之间保持着相同恒定的非零的RF电压，同时在真空等离子体腔室中正在处理所述多个工作部件。
18.如权利要求15所述方法，其特征在于，所述方法的执行与多个具有基本相同特性的真空等离子体腔室有关，所述不同真空等离子体腔室的特性相互间是完全不同的，从而会形成在不同腔室的所述电极和接地之间的连接中产生不同的非零RF电压的趋势，而在相同的标称条件下运营的多个真空等离子体腔室中，在所述电极和接地之间保持相同的恒定的非零RF电压。
19.如权利要求15所述方法，其特征在于，所述方法是通过以下方式执行，在所述电极和RF接地之间的连接中连接RF阻抗，并且在所述RF阻抗两端保持恒定有限的非零RF电压。
20.如权利要求19所述方法，其特征在于，在所述RF阻抗两端的恒定有限的非零RF电压是通过以下方式保持的，检测表示在所述电极和接地之间的RF电压和在所述电极和接地之间流过的RF电流中至少一个参数，并且根据所检测到的至少一个参数来控制所述RF阻抗。
21.如权利要求20所述方法，其特征在于，在所述RF阻抗两端的有限的非零RF电压是通过根据所检测到的至少一个参数来控制所述RF阻抗的数值来保持恒定的。
22.如权利要求21所述方法，其特征在于，所述RF阻抗包括一个可变的电容器和一个可变的电感器，并且所述控制步骤包括在所述电极和RF接地之间的连接中连接可变电容器和可变电感器中的一个和两个。
23.如权利要求21所述方法，其特征在于，所述RF阻抗包括一个可变的电抗和一个可变的电阻器，并且所述控制步骤包括在所述电极和RF接地之间的连接中连接可变电抗和可变电阻器中的一个和两个，以及控制所述可变电抗或所述可变电阻器的数值。
24.如权利要求15所述方法，其特征在于，所述腔室包括与所述腔室内的气体电气耦合的一个反应阻抗元件；连接在源和反应阻抗元件之间的一个匹配网络；一根电缆，它的一端连接着RF电源，而第二端连接着所述匹配网络，该方法进一步包括检测由匹配网络施加给反应阻抗元件的以及与反应阻抗元件相耦合的等离子负载的至少一个参数；和，根据所检测到的至少一个参数，控制影响RF电源施加到所述电缆的所述一端上的RF功率的一个参数。
25.如权利要求24所述方法，其特征在于，所述至少一个参数包括电压和电流。
26.如权利要求24所述方法，其特征在于，所述电压和电流的检测是在真空等离子体腔室的RF源的频率波长的1/8内。
27.如权利要求24所述方法，其特征在于，所述电压和电流是在腔室内进行检测的。
28.如权利要求24所述方法，其特征在于，所述控制步骤包括控制影响RF电源施加到所述电缆的所述一端上的RF功率的多个参数。
29.如权利要求24所述方法，其特征在于，所述匹配网络包括可变电抗，所述方法的步骤还包括检测由所述电缆提供给所述匹配网络的所述电压和电流，并且根据所述检测到的由电缆提供给所述匹配网络的电压和电流来控制匹配网络的可变电抗。
全文摘要
一个真空等离子体处理器包括一个电压－电流检测器(32)，它连接在匹配网络(30)和用于激发在腔室(10)内的气体成为等离子体以处理工作部件(15)的反应阻抗之间。在腔室内的一个电极(14)和接地之间的连接中保持着一个恒定非零的RF参数。电极和对接地的连接使得RF激发源不会直接与该电极相耦合。
文档编号B08B7/00GK1515018SQ02811563
公开日2004年7月21日 申请日期2002年6月4日 优先权日2001年6月7日
发明者N·麦克盖瑞尔特, N 麦克盖瑞尔特 申请人:拉姆研究有限公司