技术编号:14217164
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种具有气隙的层间介质层及其淀积方法。背景技术随着半导体集成度的不断增加,器件以及金属连线的密度也急剧增大,金属连线之间的RC(电阻和电容)延迟现象也越来越严重。现有技术中采用降低介质层的K值以降低电容,从而达到降低RC延迟的目的。传统方法是使用低K值的介质层,然而低K值的介质层之K值亦不能完全满足某些特定的要求。众所周知,空气的K值极低,远低于普通低K材料的K值,因而具有气隙的层间介质层(IMD)应运而生。请参阅图3、图4,图3所示为现有具有气隙层间介质层...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。