本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种具有气隙的层间介质层及其淀积方法。
背景技术：
随着半导体集成度的不断增加，器件以及金属连线的密度也急剧增大，金属连线之间的rc(电阻和电容)延迟现象也越来越严重。现有技术中采用降低介质层的k值以降低电容，从而达到降低rc延迟的目的。传统方法是使用低k值的介质层，然而低k值的介质层之k值亦不能完全满足某些特定的要求。众所周知，空气的k值极低，远低于普通低k材料的k值，因而具有气隙的层间介质层(imd)应运而生。
请参阅图3、图4，图3所示为现有具有气隙层间介质层之结构示意图。图4所示为现有具有气隙层间介质层之气隙高度与金属连线间距之关系图谱。目前，现有具有气隙层间介质层20之气隙21采用等离子加强化学气相沉积(pecvd)制程，其形成气隙(airgap)21的高度随着金属连线22间距的变化而变化。所示气隙21的高度、位置、大小等均不可控，如果气隙21的高度过高，则在后续的化学机械研磨制程中势必容易导致气隙21被磨开，进而暴露出气隙21。
显然地，在形成后续金属层(未图示)时，金属线极易被暴露气隙21中渗入的其它物质所伤害，严重会造成断路等其他缺陷。由此可见，传统的等离子加强化学气相沉积制备具有气隙层间介质层的工艺极大地限制层间介质层的厚度，亟待本领域技术人员解决。
故针对现有技术存在的问题，本案设计人凭借从事此行业多年的经验，积极研究改良，于是有了本发明一种具有气隙的层间介质层及其淀积方法。
技术实现要素：
本发明是针对现有技术中，传统的等离子加强化学气相沉积制备具有气隙层间介质层的工艺极大地限制层间介质层的厚度等缺陷提供一种具有气隙的层间介质层。
本发明之又一目的是针对现有技术中，传统的等离子加强化学气相沉积制备具有气隙层间介质层的工艺极大地限制层间介质层的厚度等缺陷提供一种具有气隙的层间介质层之淀积方法。
为实现本发明之目的，本发明提供一种具有气隙的层间介质层，所述具有气隙的层间介质层之气隙高度可控，所述气隙之高度小于等于当层之金属连线的高度。
为实现本发明之第二目的，本发明提供一种具有气隙的层间介质层之淀积方法，所述具有气隙的层间介质层之气隙采用高密度等离子体化学气相沉积方法制备。
可选地，在通过高密度等离子体化学气相沉积方法制备所述具有气隙的层间介质层之气隙时，所述高密度等离子体化学气相沉积之工艺方法采用两步法。
可选地，第一步之沉积与溅射比率为3.5～4.5。
可选地，第二步之沉积与溅射比率为2.6～3.2。
可选地，所述第一步与所述第二步沉积之层间介质层的厚度比例为1:1～2.2:1。
可选地，所述高密度等离子体化学气相沉积之工艺方法采用两步法，第一步之沉积与溅射比率为4，第二步之沉积与溅射比率为2.8，且所述第一步与所述第二步沉积之层间介质层的厚度比例为1.5:1。
可选地，所述第一步与所述第二步沉积之层间介质层的总厚度根据当层之金属连线的厚度设置。
可选地，所述金属连线之间进行不同深宽比的晶圆结构填充，以形成高度可控的气隙。
综上所述，通过高密度等离子体化学气相沉积方法制备所述具有气隙层间介质层之气隙，所述具有气隙层间介质层之气隙高度可控，所述气隙之高度小于等于当层之金属连线的高度，进而降低了气隙对层间介质层厚度的要求。
附图说明
图1所示为通过本发明具有气隙的层间介质层及其淀积方法所制备的层间介质层结构示意图；
图2(a)～2(b)所示为通过本发明具有气隙的层间介质层及其淀积方法所制备的层间介质层sem图谱；
图3所示为现有具有气隙层间介质层之结构示意图；
图4所示为现有具有气隙层间介质层之气隙高度与金属连线间距之关系图谱。。
具体实施方式
为详细说明本发明创造的技术内容、构造特征、所达成目的及功效，下面将结合实施例并配合附图予以详细说明。
随着半导体集成度的不断增加，器件以及金属连线的密度也急剧增大，金属连线之间的rc(电阻和电容)延迟现象也越来越严重。现有技术中采用降低介质层的k值以降低电容，从而达到降低rc延迟的目的。传统方法是使用低k值的介质层，然而低k值的介质层之k值亦不能完全满足某些特定的要求。众所周知，空气的k值极低，远低于普通低k材料的k值，因而具有气隙的层间介质层(imd)应运而生。
请参阅图3、图4，图3所示为现有具有气隙层间介质层之结构示意图。图4所示为现有具有气隙层间介质层之气隙高度与金属连线间距之关系图谱。目前，具有气隙层间介质层20之气隙21采用等离子加强化学气相沉积(pecvd)制程，其形成气隙(airgap)21的高度随着金属连线22间距的变化而变化。所示气隙21的高度、位置、大小等均不可控，如果气隙21的高度过高，则在后续的化学机械研磨制程中势必容易导致气隙21被磨开，进而暴露出气隙21。
显然地，在形成后续金属层(未图示)时，金属层极易渗入暴露的气隙21中，严重会造成短路等其他缺陷。由此可见，传统的等离子加强化学气相沉积制备具有气隙层间介质层的工艺极大地限制层间介质层的厚度，亟待本领域技术人员解决。
在本发明中，所述具有气隙层间介质层10之气隙11高度可控，所述气隙11之高度小于等于当层之金属连线12的高度。为确保所述具有气隙的层间介质层10之气隙11高度可控，使得所述气隙11之高度小于等于当层之金属连线12的高度，所述具有气隙层间介质层10之气隙11采用高密度等离子体化学气相沉积方法。
为了更直观的揭露本发明之技术方案，凸显本发明之有益效果，现结合具体实施例，对具有气隙的层间介质层及其淀积方法之工艺原理、步骤进行阐述。在具体实施例中，所述具有气隙层间介质层的厚度、形状，金属连线的位置、高度，气隙的位置、高度等仅为列举，不应视为对本发明技术方案的限制。
请参阅图1，图2(a)～2(b)，图1所示为通过本发明具有气隙的层间介质层及其淀积方法所制备的层间介质层结构示意图。图2(a)～2(b)所示为通过本发明具有气隙的层间介质层及其淀积方法所制备的层间介质层sem图谱。所述具有气隙层间介质层10之气隙11高度可控，所述气隙11之高度小于等于当层之金属连线12的高度。
为确保所述具有气隙层间介质层10之气隙11高度可控，使得所述气隙11之高度小于等于当层之金属连线12的高度，所述具有气隙层间介质层10之气隙11采用高密度等离子体化学气相沉积方法。作为具体实施方式，在通过高密度等离子体化学气相沉积方法制备所述具有气隙的层间介质层10之气隙11时，所述高密度等离子体化学气相沉积之工艺方法采用两步法，第一步之沉积与溅射比率为3.5～4.5，第二步之沉积与溅射比率为2.6～3.2，且所述第一步与所述第二步沉积之层间介质层的厚度比例为1:1～2.2:1。其中，所述第一步与所述第二步沉积之层间介质层的总厚度根据当层之金属连线12的厚度设置。进一步地，所述金属连线12之间进行不同深宽比的晶圆结构填充，以形成高度可控的气隙11。
在本发明中，作为优选实施方案，非限制性地列举，例如在通过高密度等离子体化学气相沉积方法制备所述具有气隙层间介质层10之气隙11时，所述高密度等离子体化学气相沉积之工艺方法采用两步法，第一步之沉积与溅射比率为4，第二步之沉积与溅射比率为2.8，且所述第一步与所述第二步沉积之层间介质层的厚度比例为1.5:1。
显然地，通过高密度等离子体化学气相沉积方法制备所述具有气隙的层间介质层10之气隙11，所述具有气隙层间介质层10之气隙11高度可控，所述气隙11之高度小于等于当层之金属连线12的高度，进而降低了气隙11对层间介质层厚度的要求。
综上所述，通过高密度等离子体化学气相沉积方法制备所述具有气隙层间介质层之气隙，所述具有气隙层间介质层之气隙高度可控，所述气隙之高度小于等于当层之金属连线的高度，进而降低了气隙对层间介质层厚度的要求。
本领域技术人员均应了解，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以对本发明进行各种修改和变型。因而，如果任何修改或变型落入所附权利要求书及等同物的保护范围内时，认为本发明涵盖这些修改和变型。